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鍺探測(cè)器由于帶隙較窄，與硅探測(cè)器相比，鍺探測(cè)器有較高的漏電流，從可見光到1. 8μm 波長(zhǎng)范圍都有亞微秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高靈敏度。一般地，使用零偏壓以獲得高靈敏度，得到高速度要施加大反向偏壓。室溫下其探測(cè)率峰值約為2 x 10 11 cmHz1 / 2 W - 1。
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