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更新時間:2023-08-18
硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分,是可見光和近紅外波段主要的探測器。硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下,該產品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。
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硅探測器的本質是一個反向偏置的半導體二極管,PIN硅二極管是在重摻雜的P區和N區之間夾有一層叫做本征體(i層)的半導體。當PN結收到光照射時,光子和半導體晶格原子相互作用,當入射光子能量E=hv超過硅材料的禁帶寬度E0,就在耗盡區中或離耗盡層邊沿一個擴散長度內產生電子--空穴對。這種電子--空穴對被外加電場拉開,電子向N區漂移,空穴向P區漂移,當載流子的移動通過耗盡層時,在外電路形成光電流。
硅探測器是光電器件重要的的組成部分,是可見光和近紅外波段主要的探測器。硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下,該產品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。
室溫Si探測器
Detector type
Active Dia
(mm)
Shunt Resistanve
(MΩ)
Shunt Capacitance
pF),tpy
OperatingWavelength (nm)
Spectral
Responsivity
(A/W)
NEP
(W/ )
@800nm,1KHz
LD-S-010
1.0
500
25
300-1000
0.55@850nm
<1.0x
LD-UVS-010
50
200-1000
0.55@800nm
LD-S-025
2.5
400
LD-UVS-025
200
300
0.50@800nm
<1.5x
LD-S-050
5
1500
350-1100
<1.5x @850nm
LD-UVS-050
1000
200-1100
<3.0x @700nm
LD-S-100
10
0.50@850nm
<1.0x @850nm
LD-UVS-100
1800
<5x @800nm
LD-S-113
11.3
9000
300-1100
LD-UVS-113
4000
1.4.2.2二級制冷Si探測器
type
OperatingTemperature(℃)
Shunt
Resistanve
(pF),tpy
(W/ )@800nm
Responsivity@850nm
Cooler Current
(A)
LD-S-010-TE2
22
——
0.55
0.00
-30
>1000
0.65
LD-UVS-010-TE2
LD-S-025-TE2
100
<1.9x10-14
<5x10-15
LD-UVS-025-TE2
<1.5x10-14
<10-14
LD-S-050-TE2
>200
LD-UVS-050-TE2
>100
<2x10-14
LD-S-100-TE2
<1.0x10-13
0.50
900
<1.0x10-14
0.70
LD-UVS-100-TE2
<5.0x10-14
1600
劉丹
86-029-81778987-205